رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM250N02DCQ RFG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM250N02DCQ RFG-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.8A (Tc) 620mW (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
المخزون:
18004 قطع جديدة أصلية في المخزون
12899798
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM250N02DCQ RFG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Standard
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
800mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
775pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
620mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-VDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
6-TDFN (2x2)
رقم المنتج الأساسي
TSM250
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TSM250N02DCQ RFGCT
TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQRFGCT
TSM250N02DCQ RFGCT-DG
TSM250N02DCQRFGDKR
TSM250N02DCQRFGTR
TSM250N02DCQ RFGDKR
TSM250N02DCQ RFGTR-DG
TSM250N02DCQ RFGDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN13M9UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
DMN6040SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
DMTH4014LPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 10.6A POWERDI50
